Компания Samsung Electronics объявила о завершении разработки памяти новейшего стандарта Universal Flash Storage (UFS) 5.0, которое позволит обеспечить бесперебойную и высокоэффективную работу сервисов искусственного интеллекта на будущих мобильных устройствах.
Скорость памяти UFS 5.0 вдвое превышает показатели UFS 4.1 — рост производительности достигается за счет новейших стандартов интерфейса JEDEC. Обеспечивается скорость последовательного чтения в 10,8 ГБ/с, которую в компании называют «самой высокой в отрасли». При этом скорость последовательной записи доходит до 9,5 ГБ/с.
Энергоэффективность чипа UFS 5.0 также улучшена более чем на 40% по сравнению с решением UFS 4.1. Это достигается за счет внедрения ряда новых инноваций, включая технологии управления тактовой частотой и многовольтовые технологии. Улучшения помогают значительно снизить энергопотребление для передачи того же объема данных, что резко уменьшает общее энергопотребление и продлевает срок службы батареи мобильных устройств следующего поколения.
По утверждению компании, технические нововведения позволят ускорить отклик при работе с локальными нейросетями. Новый чип памяти компактнее по размерам (7,5 × 13 × 0,9 мм) – на 16,7% меньше предыдущего поколения, что упрощает его размещение внутри мобильных устройств.
Серийное производство чипов UFS 5.0 начнется в четвертом квартале этого года в различных объемах, вплоть до 1 Tb. Ожидается, что новая флеш-память ляжет в основу будущих флагманских смартфонов, XR/VR-гарнитур и других носимых устройств.
