Компания Micron представила свою технологию хранения данных UFS 4.0 для смартфонов. Universal Flash Storage (UFS) 4.0 от Micron создана на основе 3D NAND-технологии с 232-слойными трехуровневыми ячейками (TLC) и предлагается в вариантах емкостью 256 Gb, 512 Gb и 1 Tb.
Компания утверждает, что его накопители превосходят решения конкурентов в нескольких критических тестах. Новая флеш-память обеспечивает скорости последовательного чтения до 4300 Мбайт/с и записи до 4000 Мбайт/с, что, по данным Micron, делает их самыми производительными модулями памяти UFS на сегодняшний день. Для сравнения, аналогичная память UFS 4.0 от Samsung обеспечивает до 4200 МБ/с и 2800 МБ/с соответственно.
Кроме того, модули Micron UFS 4.0 обладают на 25% более высокой энергоэффективностью, загрузка данных происходит вдвое быстрее — два часа онлайн-видео в 4K менее чем за 15 сек. В компании заявляют, что толщина модулей не превышает 0,8–0,9 мм, что позволит производителям мобильных устройств или сделать свои продукты тоньше, или установить аккумулятор большей емкости.
Массовое производство накопителей UFS 4.0 начнется во второй половине 2023 года. Micron ожидает, что первые устройства с новой памятью появятся во флагманских устройствах уже в этом году.
