Тайваньская компания TSMC завершила разработку 2-нм техпроцесса создания микропроцессоров и готовится запустить массовое производство таких чипов к 2023 году.
2-нм процесс значительно отличается от существующих 5-нм и 7-нм, а также запланированного на следующий год 3-нм, которые производятся по технологии Fin-FET (Fin Field-effect Transistor). Ранее производство процессоров с расстоянием 2 нанометра между транзисторами считалось невозможным, так как появляются проблемы с рассеиванием тепла, энергоэффективностью и производительностью. Сообщается, чтобы преодолеть этот барьер, TSMC разработала GAA-FET (Gate-all-around Field-effect Transistor), надежно экранированный со всех сторон затворами.
Прежде всего TSMC необходимо найти партнера, который разработает реальные чипы с использованием нового техпроцесса. Известно, что в 2021 году первые 5-нм процессоры представят компании Qualcomm, Apple и AMD, а в 2022 году ожидается переход на 3-нм (Fin-FET).
