Южнокорейская компания SK hynix объявила о разработке памяти HBM3E, предназначенной в первую очередь для задач искусственного интеллекта. По заявлениям компании, новый стандарт памяти может обрабатывать данные с пропускной способностью до 1,15 ТБ/с. Образцы изделий уже поставляются отдельным заказчикам для оценки технических характеристик.
HBM3E — это улучшенная версия памяти HBM3 пятого поколения, которая пришла на смену предыдущим: HBM, HBM2, HBM2E и HBM3. При изготовлении чипов компания SK hynix применяет технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), представляющую собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки. С помощью данной технологии удалось повысить эффективность рассеивания тепла на 10%.
Говорится об обратной совместимости с HBM3 — разработчики и производители оборудования смогут интегрировать новый стандарт памяти в уже существующие системы без необходимости внесения значительных конструктивных изменений.
Массовое производство HBM3E компания SK hynix планирует организовать в первой половине следующего года.
Следите за новостями в нашем Telegram-канале: https://t.me/infocity_az
