Компания Samsung Electronic представила видеопамять нового типа GDDR6W. Она разработана с использованием новой технологии упаковки FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging), которая позволила увеличить объем и пропускную способность микросхем.
В июле Samsung разработала скоростную память GDDR6 с пропускной способностью 24 Гбит/с. GDDR6W удваивает этот показатель и емкость модулей, сохраняя прежние размеры. Благодаря этому новые микросхемы памяти можно легко внедрить в те же производственные процессы, в которых использовалась GDDR6.
Технология FOWLP предполагает монтаж компонентов прямо на кремниевой пластине без печатной платы. А использование технологии редистрибутивного слоя (redistributive layer, RDL) позволяет обеспечить гораздо более тонкие схемы разводки. Samsung отмечает, что отсутствие печатной платы в конструкции чипа памяти GDDR6W уменьшает толщину упаковки микросхемы и повышает эффективность рассеивания тепла. Высота микросхемы GDDR6W составляет 0,7 мм, это на 36% меньше, чем у GDDR6 (1,1 мм).
Сокращаются время и затраты на производство, поскольку нет необходимости увеличивать размер платы — можно разместить вдвое больше микросхем памяти на той же площади. Емкость чипа возрастает с 16 до 32 Gb, пропускная способность — до 1,4 Tb/с, скорость передачи — до 22 Гбит/с на контакт.
Компания планирует расширить применение GDDR6W на устройства малого форм-фактора, к которым относятся ноутбуки, а также топовые графические ускорители, используемые для высокопроизводительных вычислений.
Следите за новостями в нашем Telegram-канале: https://t.me/infocity_az
