Компания Samsung Electronics объявила о разработке первого в мире модуля оперативной памяти DDR5 объемом 512 Gb, с использованием технологии High-K Metal Gate (HKMG). Новая память более чем вдвое быстрее DDR4, потребляя при этом меньше энергии.
Технология High-K Metal Gate (HKMG) представляет собой способ производства полупроводников с использованием диэлектриков, выполненных из материала, диэлектрическая проницаемость которого больше, чем у диоксида кремния. Она используется для производства чипов GDDR6 с 2018 года.
На одном модуле разместились восемь слоев микросхем DRAM объемом 16 Gb, объединенных посредством технологии объемной компоновки с межслойными соединениями (Through-Silicon Vias, TSV).
Samsung отмечает, что скорость передачи данных новой памяти достигает 7200 Мбит/с, что вдвое больше, чем у DDR4. Кроме того, она потребляет на 13% меньше энергии.
Новая память ориентирована на суперкомпьютеры для решения задач, связанных с искусственным интеллектом и машинным обучением.
