На конференции GTC 2026 компания Samsung представила память нового поколения HBM4E, отличающееся высокой пропускной способностью, SSD с интерфейсом PCIe 6.0 и модули SOCAMM2 для текущих и будущих ИИ-платформ Nvidia.
По данным Samsung, память HBM4E обеспечивает скорость до 16 Гбит/с на контакт, пропускную способность до 4 ТБ/с на стек и емкость до 48 Gb на стек. Решение разработано специально для платформы Nvidia Rubin Ultra и позволит системе теоретически получить до 384 Gb HBM-памяти и до 64 ТБ/с общей пропускной способности, что фактически удваивает возможности текущего чипа Rubin. Для сравнения, Rubin обладает 288 Gb памяти HBM4 и до 22 ТБ/с пропускной способности.
Твердотельный накопитель PM1763 с интерфейсом PCIe 6.0, ориентированный на ИИ-серверы, обеспечивает быструю передачу данных и высокую емкость. Кроме того, SSD полностью совместим с новой архитектурой хранения данных Nvidia BlueField-4 STX.
Модуль памяти SOCAMM2, уже находящийся в массовом производстве, ориентирован на использование в ИИ-серверах. По заявлению компании, он обеспечивает высокую пропускную способность и гибкую системную интеграцию для инфраструктуры ИИ следующего поколения.
