Компания Qualcomm представила новые однокристальные платформы Snapdragon W5 Gen 1 и W5+ Gen 1, предназначенные для носимых устройств под управлением Wear OS. Новинки значительно превосходят предыдущие решения компании по вычислительной мощности и энергоэффективности.
Qualcomm указывает характеристики только для 4-нм платформы Snapdragon W5+ Gen 1. В ее состав входят четыре вычислительных ядра Cortex-A53, встроенный Always-On (AON) сопроцессор Cortex-M55 (22 нм, 250 MHz) для задач, которые не требуют высокой производительности, графическое ядро Adreno 702 с частотой 1 GHz и вспомогательный 2,5D-акселератор. Сопроцессор Always-On (AON) отвечает за Bluetooth 5.3, Wi-Fi, GNSS, обработку аудиоданных и сигналов с различных датчиков, а также за поддержку новых состояний Deep Sleep (глубокий сон) и Hibernate (гибернация), которых не было у платформ предыдущего поколения. Указывается поддержка 16-битной памяти LPDDR4 с частотой 2133 MHz.
По сравнению с моделью Snapdragon Wear 4100+ новый чип, несмотря на 30-процентное уменьшение площади, стал в два раза производительнее, при этом его энергоэффективность в полтора раза выше.
Qualcomm отмечает, что сейчас различные компании разрабатывают около 25 устройств на новых платформах Snapdragon W5 Gen 1 и W5+ Gen 1. Раньше всех свои продукты на новых чипах представят компании OPPO (релиз модели Watch 3 в августе) и Mobvoi (новые TicWatch, запуск которых запланирован на осень).
Технические характеристики Snapdragon W5 Gen 1 будут объявлены позднее.
Следите за новостями в нашем Telegram-канале: https://t.me/infocity_az
