Компании Samsung Electronics и Broadcom объявили о заключении меморандума о стратегическом партнерстве в сфере ИИ-чипов и полупроводников объемом свыше $200 млрд. Соглашение рассчитано до 2030 года. Сумма в $200 млрд. отражает совокупный прогнозируемый объем сотрудничества за несколько лет, а не стоимость единовременного контракта.
Соглашение охватывает выпуск чипов по передовым техпроцессам Samsung Foundry, разработку памяти HBM следующего поколения и использование технологий передового корпусирования (2.3D/2.5D).
Одним из ключевых направлений сотрудничества станет производство для Broadcom новых коммуникационных чипов, предназначенных для высокоскоростной передачи данных. Их планируется выпускать по 2-нм техпроцессу Samsung. Кроме того, разработка памяти HBM следующего поколения играет важную роль в ускорителях искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислительных системах.
Для Samsung эта сделка имеет стратегическое значение, поскольку она поможет укрепить ее позиции как в контрактном производстве полупроводников, где компания конкурирует с TSMC, так и на рынке памяти для систем искусственного интеллекта, где ее главным соперником остается SK hynix.
