Компания Samsung Electronics сообщила, что она приступила к массовому производству 3D NAND с более чем 100 слоями. Максимально возможная конфигурация допускает выпуск чипов со 136 слоями, что становится новой вехой на пути к более плотной флеш-памяти 3D NAND. Отсутствие четкой конфигурации памяти намекает, что чип с более чем 100 слоями собирается из двух или, скорее всего, из трех монолитных кристаллов 3D NAND. В процессе спайки кристаллов часть пограничных слоев разрушается, и это делает невозможным точно указать число слоев в кристалле.
В Samsung настаивают на уникальном сквозном травлении кристаллов (channel hole etching), которое открывает возможность насквозь пронзить толщу монолитной структуры и соединить горизонтальные массивы флеш-памяти в один чип памяти. Первой 100-слойной продукцией стали чипы 3D NAND TLC емкостью 256-Гбит. Чипы объемом 512-Гбит со 100(+) слоями компания начнет выпускать этой осенью.
Отказ от выпуска более емкой памяти вероятно продиктован тем, что уровень брака при выпуске новейшей продукции легче контролировать в случае памяти меньшей емкости. За счет «повышения этажности» Samsung смогла выпускать чип меньшей площади, не теряя в емкости. Более того, чип в некотором роде стал проще, поскольку теперь вместо 930 млн. вертикальных отверстий в монолите достаточно протравить только 670 млн. По словам Samsung, это упростило и сократило технологические циклы производства и позволило на 20% увеличить производительность труда.
На основе 100-слойной памяти Samsung начала выпуск 256-Гбайт SSD с интерфейсом SATA. Продукция будет поставляться OEM-производителям ПК.
Переход на 100-слойную структуру не заставил пожертвовать производительностью и энергопотреблением. Новая 256-Гбит 3D NAND TLC в целом оказалась на 10% быстрее 96-слойной памяти. Улучшенный дизайн управляющей электроники чипа позволил удержать скорость передачи данных в режиме записи ниже 450 мкс, а в режиме чтения ниже 45 мкс. При этом потребление удалось снизить на 15%.
На основе 100-слойной 3D NAND компания обещает следующей выпустить 300-слойную 3D NAND, просто состыковав три условно монолитных 100-слойных кристалла.
