Компания Samsung Electronics объявила о начале тестирования первой в отрасли памяти GDDR6 со скоростью обработки 24 Гбит/с.
Память производится по 10-нм техпроцессу 1z с использованием технологии экстремального ультрафиолетового облучения (EUV) и будет использоваться в видеокартах следующего поколения, включая Radeon RX 7000 и GeForce RTX 4000.
Применяется технология HKMG (High-K Metal Gate), которая была впервые использована в памяти Samsung GDDR6 в 2018 году. При сокращении размеров структур DRAM изоляционный слой становится тоньше, что приводит к большей утечке тока. Благодаря замене изолятора на материал HKMG сокращаются утечки и повышается производительность.
В пресс-релизе компании сказано, что при использовании новой памяти на видеокартах топового уровня она может передавать до 1,1 Tb данных за одну секунду.
«Взрывной рост объемов данных, которые в настоящее время задействованы для искусственного интеллекта и метавселенных, подталкивает к необходимости более широких графических возможностей, которые могут обрабатывать массивные наборы данных одновременно на чрезвычайно высоких скоростях», — отметил Дэниел Ли, исполнительный вице-президент группы планирования продуктов памяти в Samsung Electronics.
В новую линейку GDDR6 от Samsung также войдут варианты памяти с низким энергопотреблением, которые помогут продлить время автономной работы ноутбуков от аккумулятора. Используя технологию динамического переключения напряжения (DVS), компания выпустит версии 20 Гбит/с и 16 Гбит/с (1,1 В) — их энергоэффективность будет примерно на 20% выше по сравнению с отраслевым стандартом 1,35 В.
Следите за новостями в нашем Telegram-канале: https://t.me/infocity_az
