Компания Samsung Electronics сегодня объявила о начале массового производства чипов с использованием 3-нм техпроцесса с применением транзисторной архитектуры Gate-All-Around. Об этом сообщается в пресс-релизе компании.
Первое поколение 3-нанометровых чипов по сравнению с 5-нанометровыми может сократить потребление энергии на 45%, обеспечит повышение производительности на 23% при уменьшении площади чипа на 16%.
Второе поколение 3-нанометровых чипов станет еще более энергоэффективным, они будут потреблять на 50% меньше энергии в сравнении с 5-нанометровыми). На 7% повысится производительность (относительно 3-нанометровых чипов первого поколения) и заметно уменьшится площадь (на 19% относительно 3-нанометровых чипов первого поколения).
Отметим, что TSMC, основной конкурент Samsung, запустит 3-нанометровые чипы в массовое производство во второй половине этого года.
Следите за новостями в нашем Telegram-канале: https://t.me/infocity_az
