В ходе мероприятия Hot Chips 33 компания Samsung объявила о разработке первого в мире модуля оперативной памяти DDR5-7200 объемом 512 Gb. Он предназначен для использования в серверных решениях. Новинка предлагает значительно более высокую производительность и скорость, а также вдвое больший объем по сравнению с памятью DDR4.
Как пишет Tom’s Hardware, модуль базируется на восьми матрицах DDR5, объединенных с помощью технологии 3D TSV (through-silicon via), характеризующейся сквозными соединениями между слоями в произвольной точке.
Несмотря на восьмислойную компоновку чипов DDR5, высота готового чипа в упаковке составляет всего 1,0 мм против 1,2 мм для DDR4. Используя новые технологии наложения слоев, компания смогла уменьшить зазор между кристаллами памяти до 40%, что уменьшило высоту всего стека.
Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение составляет 1,2 В. Повышение энергоэффективности памяти стало возможным благодаря использованию интегрированных схем управления питанием (PMIC), стабилизатора напряжения, а также технологии затворов High-K Metal. Отмечается, что память DDR5 поддерживает технологию коррекции ошибок On-Die Error Correction Code (ODECC). В ходе презентации Samsung также сообщила, что применила при производстве модуля памяти DDR5-7200 технологию Same Bank Refresh.
Потребительские модули DDR5, скорее всего, будут иметь меньший объем — до 64 Gb на планку. Samsung планирует начать массовое производство модулей памяти DDR5-7200 объемом 512 Gb к концу этого года. Компания полагает, что массовый переход на новый стандарт оперативной памяти произойдет не ранее 2023-2024 годов.
