Компания Samsung Electronics сообщила о выпуске памяти стандарта HBM2E (High Bandwidth Memory) третьего поколения, которая получила название Flashbolt. Как и память HBM2E второго поколения Aquabolt, новая память предназначена для суперкомпьютеров, приложений искусственного интеллекта и графических систем.
По сравнению с Aquabolt объем памяти в расчете на стек удвоен. Модули емкостью 16 Gb, выполненные по 10-нм техпроцессу, размещаются на буферном кристалле. Сообщается, что память Flashbolt обеспечивает скорость передачи данных 3,2 Гбит/с, а пропускная способность всего стека достигает 410 ГБ/с. Более того, по словам производителя, скорость может достигать 4,2 Гбит/с, а пропускная способность — 538 ГБ/с. Этот показатель в 1,75 раза превышает пропускную способность Aquabolt, равную 307 ГБ/с.
Начало массового производства новых модулей планируется в первой половине текущего года. Производитель отмечает, что поставки памяти HBM2 Aquabolt также будут продолжены.
