Компания Toshiba Memory представила память XL-FLASH, для применения в устройствах хранения для дата-центров и накопителях корпоративного класса.
В основе памяти XL-FLASH — технология BiCS FLASH 3D, при этом предусматривается хранение только одного бита информации в ячейке (SLC).
По сути, XL-FLASH предстоит занять промежуточное положение между DRAM и NAND. По сравнению с обычной флеш-памятью NAND новые изделия обладают значительно меньшими задержками (менее 5 мс на операциях чтения), более высокой скоростью передачи данных и более высокой емкостью хранения. Если же сравнивать с DRAM, то цена XL-FLASH в расчете на единицу данных окажется существенно ниже. XL-FLASH может составить конкуренцию памяти 3D XPoint и продуктам Intel Optane Memory на ее основе.
Поначалу Toshiba Memory наладит выпуск 128-гигабитных кристаллов XL-FLASH в массиве из двух, четырех и восьми штук в одном корпусе. Емкость составит 32, 64 и 128 Gb.
Пробные поставки образцов будут начнутся в сентябре, а массовое производство ожидается в 2020 году. Цена пока не раскрывается.
