Южнокорейская компания SK Hynix, специализирующаяся на производстве полупроводниковой памяти типа DRAM и NAND, выпустила первую в мире флэш-память 4D NAND. Под этим маркетинговым названием скрывается 96-слойная память TLC NAND, в которой совмещаются технологии CTF (Charge Trap Flash — ячейка с ловушкой заряда) и PUC (Periphery Under Cell — вынос периферийных цепей под ячейки памяти).
Таким образом, флэш-память 4D NAND предполагает не только многослойную компоновку, но и размещение периферийных цепей в слоях. Такие конструктивные особенности позволили сделать чипы компактнее и быстрее.
Так, размеры кристалла снизились на треть по сравнению с 72-слойной памятью 3D TLC NAND, а число чипов на пластине выросло наполовину. Скорость чтения и записи данных повысилась на 25% и 30% соответственно, пропускная способность линий ввода-вывода достигла 1200 Мбит/с — в расчете на одну линию при напряжении питания 1,2 В. Плотность кристалла составляет 512 Гбит.
SK Hynix первой в отрасли объединила 3D CTF с PUC, что отличается от способа интеграции плавающих затворов 3D и PUC. В результате достигнуты лучшие на рынке показатели производительности и продуктивности. Компания назвала продукт CTF-based 4D NAND Flash, чтобы отличать его от современных технологий 3D NAND flash, — говорится в пресс-релизе компании.
В качестве технической основы по-прежнему используется технология TLC, хранящая три бита на ячейку памяти. Пока не совсем понятно, когда производители перейдут на QLC NAND. Данная технология позволила бы еще сильнее нарастить плотность хранения данных.
SK Hynix собирается приступить к массовым поставкам памяти 4D NAND flash до конца 2018 года. Первые твердотельные накопители, основанные на таких чипах, должны появиться достаточно быстро, сообщает tadviser.ru.
