Как выяснилось, Samsung не единственная компания, которая трудится на новой памятью LPDDR4 объемом 8 GB для смартфонов и планшетов. Этим также занимается южно-корейская SK Hynix.
Ее память использует 4 микросхемы на 16 Gbit, работает со скоростью передачи данных на уровне 3733 Мтрансфеоров/с (частота 3733 MHz), что заметно ниже, чем у аналогичного решения Samsung с частотой 4266 MHz. Пиковая пропускная способность новой памяти — 29,8 GB/s. Также, если Samsung использует 10 нм технологический процесс, то Hynix — 21 нм, сообщает ferra.ru.
Заказы на сборку в корпусе FBGA-366 принимаются уже сейчас. С первого квартала начнется сборка и FBGA-376. Добавление такой памяти в каталог продукции говорит о том, что чипы уже готовы, следовательно ждать появления новых смартфонов с 8 GB оперативной памяти вряд ли придется слишком долго.
