Работа с 4K-разрешением, двойные камеры и виртуальная реальность выдвигают определенные требования к аппаратным ресурсам, в результате возникает необходимость в более производительных решениях. Новая микросхема включает четыре 16-гигабитных чипа LPDDR4 10-нанометрового класса, изготавливаемых с использованием технологических норм от 10 до 20 нм.
Разработанная инженерами Samsung память работает со скоростью до 4266 Mbit/s, в два раза быстрее DDR4 в компьютерах, обладающей пропускной способностью 2133 Mbit/s в пересчете на один разряд шины. В 64-битных системах модуль на 8 GB позволяет передавать более 34 GB информации в секунду, сообщает gagadget.com. Это заметно улучшит работу мобильных устройств с 4K-контентом и виртуальными машинами.
По словам производителя, новый чип потребляет примерно столько же, сколько и 20-нанометровые микросхемы предыдущего поколения объемом 4 GB. Габаритные размеры модуля составляют всего 15x15x1.0 мм, его можно размещать непосредственно над процессором или UFS-памятью для экономии места на системной плате.
Samsung проложила дорогу смартфонам с 8 GB оперативной памяти, плохо это или хорошо — вопрос второй. Слухи приписывают разработку таких монстров китайским компаниям Oppo и LeEco.
