Исследовательский отдел компании IBM представил новую оптическую технологию хранения данных Phase-Change Memory (PCM), которая может прийти на смену традиционной оперативной и флэш-памяти в будущих смартфонах. Суть технологии заключается в использовании электрического тока для записи и чтения данных из аморфного стекла. До сегодняшнего дня данный метод был слишком дорогим для массового использования в смартфонах и других мобильных устройствах, но исследователям IBM удалось усовершенствовать эту технологию и существенно снизить расходы.
Технология Phase-Change Memory использовалась в оптических дисках и других компонентах в течение 15 лет. Специалисты IBM не только смогли удешевить её, но и разработали метод сохранения 3-битных данных в одну ячейку даже при более высоких температурах окружающей среды, сообщает 4pda.ru.
В отличие от традиционной оперативной памяти, PCM не теряет данные при отключении питания. Использование PCM и флэш-памяти позволяет моментально создавать кэш. В IBM уверяют, что если записать операционную систему смартфона на PCM, то устройство будет загружаться в считанные секунды.
«Материалы PCM обладают двумя устойчивыми состояниями: аморфным (без чётко определенной структуры) и кристаллическим (структурным) с низкой и высокой электропроводностью соответственно. Чтобы сохранить «0» или «1», известные как биты, на ячейку PCM подаётся электрический ток высокого или среднего напряжения. Значение «0» может быть запрограммировано для записи в аморфной фазе, а «1» — в кристаллической, или наоборот», — объяснили в IBM.
К сожалению, о сроках появления этой технологии в коммерческих устройствах пока ничего неизвестно.
