Комитет JEDEC Solid State Technology Association утвердил спецификации Universal Flash Storage 4.0 (JESD220F) и UFSHCI 4.0 (JESD223E). Флеш-память нового поколения разработана для смартфонов и вычислительных систем с высокой производительностью и низким энергопотреблением.
Для стандарта UFS 4.0 снижено рабочее напряжение с 3,3 В до 2,5 В. Пропускная способность памяти стала вдвое выше, по сравнению с UFS 3.1 — до 4,2 ГБ/c на чтение. Дополнительно снижены задержки памяти и внедрена система отслеживания и коррекции ошибок. Стандарт UFS 4.0 остается обратно совместимым с UFS 3.0 и 3.1, что позволяет соблюсти преемственность архитектур.
Спецификации UFS 3.1 также были немного улучшены, обеспечив прямую совместимость между UFS 3.1 и UFS 4.0 по определенным режимам работы. В частности, новый стандарт JESD231 File Based Optimization позволяет хосту ускорять трафик чтения на основе информации о файловой системе, предоставляемой хостом.
Компания Samsung весной этого года уже представила флеш-память с интерфейсом UFS 4.0, массовое производство которой начнется этой осенью.
Следите за новостями в нашем Telegram-канале: https://t.me/infocity_az
