Компания Samsung представила новое поколение флеш-памяти стандарта Universal Flash Storage (UFS) 4.0 для мобильных устройств. Производитель отмечает, что UFS 4.0 — самое производительное в отрасли решение для хранения данных, получившее одобрение от ассоциации JEDEC.
Накопители UFS 4.0 имеют пропускную способность до 23,2 Гбит/с на полосу — вдвое больше по сравнению с UFS 3.1. Такие возможности пригодятся для смартфонов с поддержкой 5G, беспилотных автомобилей и технологий виртуальной и дополненной реальности.
Благодаря использованию усовершенствованной памяти Samsung V-NAND 7-го поколения и специального контроллера скорость последовательного чтения достигает 4200 МБ/с, записи — до 2800 МБ/с.
Кроме того, улучшилась и энергоэффективность. По сравнению с UFS 3.1 энергозатраты при чтении данных сократились на 46%. За счет этого увеличится время автономной работы смартфонов от аккумулятора. Новые решения компактны – размер модуля емкостью до 1 Tb составляет не более 11 x 13 x 1 мм.
Ожидается, что массовое производство новой флеш-памяти начнется в третьем квартале этого года.
