Etron Technology, тайваньский разработчик и производитель интегральных схем, представил альтернативную архитектуру памяти DRAM (Dynamic Random-Access Memory — «динамическая память с произвольным доступом») — RPC DRAM (RPC — Reduced Pin Count). Она отличается уменьшенным числом контактов, при этом, как утверждают в компании, пропускная способность и емкость новых чипов практически не уступают DDR4 в производительности. По словам главы Etron Ники Лу (Nicky Lu), технология RPC DRAM позволит добиться уменьшения физических размеров и стоимости модулей памяти, что cделает ее подходящей для применения в разработке различных гаджетов и прочих компактных устройств.
Архитектура RPC DRAM схожа с DDR3 или LPDDR3 с организацией X16, X32, X64, обеспечивает пропускную способность порядка 4,8 ГБ/сек, 9,6 ГБ/сек или 19,2 ГБ/сек соответственно и предусматривает наличие лишь 22 пинов. Регистры шины данных переключаются между адресным и командным режимами.
Etron также продемонстрировала разные варианты «упаковки» чипов. Самый компактный из них характеризуется размерами в 4,7 х 2 мм.
В настоящее время компания сотрудничает с Lattice Semiconductor, американским производителем программируемых логических схем (ПЛИС). В результате совместной работы компаниям удалось собрать демонстрационный образец на базе отладочной платы Lattice EPC5-5G и памяти Etron RPC DRAM.
Lattice также обещает выпустить «серию эталонных платформ, которые позволят ускорить разработку с использованием технологии RPC» в первой половине 2019 года, сообщает cnews.ru.
