На этой неделе в Сан-Франциско проходит конференция International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), где собираются ведущие производители полупроводниковых чипов — Intel, Samsung, TSMC, IBM и ряд других компаний. Они обсуждают последние достижения в сфере технологических процессов и препятствия, стоящие на пути к более миниатюрным, быстрым компьютерным чипам с повышением плотности расположения компонентов. Об этом передает OSZone.net.
По традиции презентация Intel будет одной из самых масштабных. Будет представлено три доклада относительно 14 нм технологического процесса, а один из наиболее ценных исследователей компании Марк Бор в понедельник принял участие в обсуждении закона Мура (которому в этом году исполняется 50 лет) за пределами 10 нм техпроцесса.
Первые чипы Intel на 10 нм техпроцессе ожидаются на стыке 2016-2017 годов, и в компании надеются избежать задержек, которые произошли с 14 нм процессорами Broadwell. Что касается 7 нм в 2018 году, Intel говорит о необходимости менять материалы, так что на горизонте маячит выход кремния на пенсию. Наиболее вероятными кандидатами на замену считаются элементы групп III-V периодической таблицы Менделеева вроде арсенида галлия-индия (InGaAs).
Неделей ранее Intel сообщила журналистам, чего ждать на конференции. Там же было сказано, что компания не ожидала столкнуться с такими сложностями с 14 нм процессом и надеется не допустить повторения ситуации с 10 нм, хотя с технической точки зрения, естественно, этот процесс ещё сложнее. Уже сейчас пилотная производственная линия 10 нм чипов работает на 50% быстрее, нежели это было с 14 нм чипами.
В 7 нм чипах Intel не планирует использовать транзисторы с трёхмерной структурой затвора (FinFET). Элементы групп III-V обладают большей мобильностью электронов, что открывает путь к более быстрым и компактным чипам за счёт большей скорости переключения транзисторов. Что касается фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV), её сложности не решены и Intel не планирует задействовать её в 10 нм и 7 нм чипах.
Зато Intel собирается использовать упаковку чипов типа 2,5D (где слои помещаются рядом друг с другом) и 3D (помещаются один поверх другого), намереваясь и дальше сокращать энергопотребление. Кроме того, в 10 нм техпроцессе Intel продолжит снижение стоимости чипов в пересчёте на один транзистор. 7 нм чипы с новыми материала могут увидеть радикальное снижение энергопотребления и значительное более высокие скорости переключения транзисторов.
