Компании IBM и Samsung Electronics совместно объявили о прорыве в разработке полупроводниковых технологий, с использованием новой вертикальной транзисторной архитектуры, которая открывает путь к масштабированию за пределы наноуровня и имеет потенциал значительного снижения энергопотребления по сравнению с транзисторами FinFET.
Обычно транзисторы проектировались так, чтобы «лежать» на поверхности полупроводникового кристалла, при этом электрический ток идет в горизонтальном направлении. Новые транзисторы, получившие название Vertical Transport Field Effect Transistors, или VTFET, формируются перпендикулярно поверхности кристалла, и ток в них идет вверх или вниз.
Процесс VTFET устраняет многие препятствия на пути дальнейшему повышению производительности степени интеграции. Он также касается контактов транзисторов, позволяя получить больший ток с меньшими потерями энергии. Новая конструкция нацелена на двукратное улучшение производительности или на сокращение энергопотребления на 85% по сравнению с FinFET.
Отмечается, что глобальная нехватка полупроводников «подчеркнула критически важную роль инвестиций в исследования и разработки микросхем, а также важность микросхем во всем: от вычислений до бытовой техники, устройств связи, транспортных систем и критически важных инфраструктур».
