Комитет JEDEC, занимающийся разработкой межотраслевых стандартов для электронных устройств, объявил о выпуске нового стандарта флеш-памяти — Universal Flash Storage (UFS) 3.1. Он придет на смену версии UFS 3.0, которая была принята 31 января 2018 года.
Ключевые нововведения стандарта UFS 3.1 (JESD220E):
- Write Booster — дополнительный энергонезависимый кэш SLC (Write Booster), который помогает экономить энергию смартфона и увеличивать скорость записи данных;
- DeepSleep — новый режим работы, который позволяет памяти UFS сохранить полноценную функциональность при минимальных затратах энергии, когда устройство находится в фоновом режиме. В первую очередь предназначено для недорогих модулей памяти;
- Performance Throtlling Notification — функция позволяет памяти UFS передавать на устройство данные о снижении производительности из-за перегрева.
Также комитет опубликовал данные о пяти смежных стандартах, включая UFS Host Performance Booster (JESD220-3). Он обеспечивает кэширование в системной DRAM-памяти схемы преобразования логических адресов UFS-памяти в физические адреса. Это повысит производительность при чтении с USF-устройств большой емкости.
С более подробной информацией о спецификациях JESD220E UFS 3.1, а также смежных JESD220-3, JESD223D, JESD220-1A, JESD223-1A и JESD224 можно ознакомиться на сайте организации.
