Японская компания Toshiba планирует построить новый завод для выпуска многослойной памяти 3D NAND (или BiCS FLASH), которая позволяет нарасщивать NAND-флэш память без необходимости снижать технологический процесс. 3D NAND без проблем создается на устаревшем и недорогом оборудовании в 35-45 нм. Таким образом (из-за удешевления производства), можно рассчитывать на снижение стоимости в ближайшем будущем.
Завод собираются построить в Йоккаити. Это будет очень современное здание, защищенное от землетрясений, с LED-освещением, энергосберегающим оборудованием и даже частично оснащенное искусственным интеллектом, сообщает ferra.ru. Потратить на это Toshiba собирается около 3,2 млрд. долларов. Первая очередь строительства начнется в феврале 2017-го, а работать завод начнет летом 2018-го. Рядом с фабрикой также построят центр по исследованиям и разработками.
