На протяжении долгого времени вся полупроводниковая промышленность считала, что транзисторы, которые выполнены по техпроцессу менее 5-нм, не будут работать, поэтому их разработка и изготовление практически не рассматривались. Но в последние годы эта теория пошатнулась, а группа учёных из Калифорнийского университета в Беркли и вовсе опровергла её, создав транзисторы по 1-нм техпроцессу. Для этого они использовали углеродные нанотрубки, более известные как графен, а также дисульфид молибдена (MoS2), что и позволило достичь поставленной цели.
Создание рабочего транзистора по 1-нм техпроцессу является действительно революцией, так как большая часть современных транзисторов из кремния выполнена по 20-нм техпроцессу. Для сравнения, новые процессоры Kaby Lake от Intel изготавливаются по 14-нм техпроцессу, сообщает 4pda.ru.
Одна из проблем создания рабочих транзисторов по 1-нм техпроцессу заключалась в том, что при использовании в их производстве только кремния существенно усложняется процесс контроля потока электронов через материал, в результате чего транзисторы не могут быть выключены. Но так как электроны становятся «тяжелее», когда они проходят MoS2, это позволило преодолеть барьер в 5-нм.
Важно отметить, что ещё в 2008 году исследователи из университета Манчестера использовали графен, чтобы создать транзистор по 1-нм техпроцессу, содержащий лишь несколько углеродных колец, а двумя годами ранее корейские ученые использовали технологию FinFET, чтобы перейти на 3-нм техпроцесс. Но только решение от учёных из Беркли отличается стабильностью работы.
Для нас, как потребителей, данная технологическая революция может означать, что устройства станут ещё компактнее или же мощнее, но с сохранением нынешних размеров.
