IBM Research в сотрудничестве с GlobalFoundries и Samsung разработала транзисторы для 5-нанометровых полупроводников и представила их на симпозиуме в Киото (Япония).
Работа над этой технологией продолжалась около 10 лет. Впервые ученым удалось использовать при создании транзисторов слои кремниевых нанолистов, а не архитектуру FinFET, считавшуюся до сих пор стандартом для создания транзисторов. С ее помощью, убежден Мукеш Харе, вице-президент IBM Research, индустрия сможет продолжить оставаться в рамках закона Мура. А гибкость нанолистов позволяет настраивать их производительность и энергоэффективность, сообщает hightech.fm.
Сейчас самый передовой полупроводниковый чип создан по техпроцессу FinFET с шириной электросхемы 10 нм. Микрочип с 5-нм техпроцессом будет работать примерно на 40% быстрее, чем 10-нм при том же режиме энергоснабжения, заявил Харе в интервью VentureBeat. Или сможет повысить свою энергоэффективность на 75%.
Рост производительности позволит усилить скорость когнитивных вычислений, работу интернета вещей и другие требовательные к ресурсам облачные приложения. А благодаря повышенной энергоэффективности аккумуляторы в смартфонах и других мобильных устройствах при использовании чипов на новой архитектура смогут работать в 2-3 раза дольше.
До коммерческого применения этой технологии далеко, но в будущем она позволит создавать микрочипы с 30 миллиардами транзисторов. По словам разработчиков, это даст возможность индустрии продолжить двигаться в направлении, предсказанном в 1965 году Гордоном Муром.
Тем временем IBM уже запустила опытную линию процессоров размером 7 нм. Когда они станут производиться массово, пока не известно. Ближайшая новинка, которая массово выйдет на рынок, — это 10-нм микрочипы Cannonlake, они должны появиться к концу этого года.
